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mosFeT，金属氧化物半导体场效应管，2o年代就提出概念，花旗佬是搞了几十年，多个公司一起搞，包括Rca、贝尔实验室等等，6o年开始申请专利，62年造出有实用意义的实物，63年获得的专利。
不过有了高振东，情况就变了。
这货在61年就直接把pmos搞进了成熟的集成电路里，而花旗人62年做出来那东西只是实现了想法，度慢得一批，初期并不具备使用价值。
在这个背景下，很多事情就有了变化，而且相关的一些工作，也在随之进行，至少半导体展史的史料，会有一些变化。
不过mos和mosFeT是有区别的，后者更细分一些，至于知识产权这些蛋，高振东就不去扯了，有人负责。
他现在准备搞的就是mosFeT，利用mos（金属氧化物）技术研究开的FeT（场效应）管，未来数十年小功率电力电子器件的王者，没有之一。
高振东轻描淡写一句话，把潘厂长崔总工他们噎得说不出话来，原来还是你？
难怪他这么信心十足的，原来其他地方用过类似技术了。
“那另外一种大功率的呢？”
崔总工问道。
“那种大功率的，和可控硅有关，但是又不全一样，有一个非常重要的新特性，能自主关断。”
这个时候，1218的同志意识到了问题的严重性，高总工给的实在是太多了。
吃不完，根本吃不完。
两种类型的光耦，加上一个小功率的mosFeT，对于1218厂来说，已经是非常的吃力，再加上一个新型可控硅，完全出了他们的能力范畴。
潘厂长想了想，很小心的道：“高总工，这个东西，我们是不是再叫一个单位过来？”
不行了，得摇人。
他非常清楚，不能贪心，如果搞得眼大肚皮小，争来吃不了的话，那就麻烦了。
部里是什么态度先不说，光是一个耽误工作，就让他觉得是在犯罪。
所以既然吃不下，再摇一个相关单位进来，是很有必要的。
高振东倒是不以为意，他们对十二机部内部熟悉，知道哪些单位能使得上劲儿，在这种细节上，他们甚至可能比十二机部的领导还清楚：“哪个单位？”
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